Transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor da transcondutância de um dispositivo, maior o ganho(amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.
Formalmente, para um dispositivo bipolar, a transcondutância é definida como a relação entre a variação da corrente do coletor e a variação da tensão base sobre um intervalo definido, arbitrariamente pequeno, na curva coletor-corrente-sobre-case-tensão. Para um FET, transcondutância é a relação entre a variação da corrente de drenagem e a variação da tensão de porta sobre um intervalo definido, arbitrariamente pequeno, na curva de tensão drena-corrente-sobre-gate.
O símbolo para transcondutância é gm. A unidade é thesiemens, a mesma unidade que é usada para a condutividade de corrente contínua (DC).
Se dI representa uma mudança na corrente do coletor ou drenagem causada por uma pequena mudança na tensão de base ou de porta dE, então a transcondutância é aproximadamente:
gm = dI / dE
Quando o tamanho do intervalo se aproxima de zero -- ou seja, a mudança na tensão de base ou de porta torna-se cada vez menor -- o valor de dI / dE aproxima-se da inclinação de uma linha tangente à curva em um ponto específico. A inclinação desta linha representa a transcondutância teórica de um transistor bipolar para uma determinada tensão de base e corrente coletora, ou a transcondutância teórica de um FET para uma determinada tensão de porta e corrente de drenagem.