Phase-change memory (PCM) é uma forma de memória de acesso aleatório ao computador (RAM) que armazena dados alterando o estado da matéria a partir da qual o dispositivo é fabricado. De acordo com os seus proponentes, a tecnologia PCM tem o potencial de fornecer armazenamento não volátil barato, de alta velocidade, alta densidade e alto volume em uma escala sem precedentes.
Por ser muito mais próxima em velocidade da RAM dinâmica (DRAM), a tecnologia de memória de mudança de fase é ideal tanto para módulos de memória não volátil dupla em linha (NVDIMMs) como para unidades de estado sólido (SSDs) de memória não volátil expressa (NVMe). Além de sua vantagem de velocidade, a tecnologia de memória de troca de fase também é muito mais durável do que o flash, e qualquer preocupação sobre o número de gravações diárias que causam desgaste não é um problema. A PCM é às vezes chamada de "RAM perfeita" (PRAM) porque os dados podem ser sobrescritos sem ter que apagá-los primeiro.
A estrutura do material PCM pode mudar rapidamente entre amorfo e cristalino em uma escala microscópica. Na fase amorfa ou desordenada, o material tem alta resistência elétrica; na fase cristalina ou ordenada, sua resistência é reduzida. Isto permite ligar e desligar as correntes eléctricas, representando os estados digital alto e baixo. Como a estrutura física é tridimensional, o número de transistores que podem existir em um chip de tamanho fixo pode ser maximizado, tornando possível que o PCM funcione muitas vezes mais rápido do que a memória flash convencional, enquanto usa menos energia.