Veja-se também o transistor de efeito de campo de arsenieto de gálio .
MOSFET (metal-oxide semiconductor fieldd-effect transistor, pronunciado MAWS-feht ) é um tipo especial de transistor de efeito de campo ( FET ) que funciona variando eletronicamente a largura de um canal ao longo do qual os portadores de carga ( elétron s ou furos s) fluem. Quanto mais largo for o canal, melhor será a condução do dispositivo. Os portadores de carga entram no canal na fonte, e saem pelo dreno. A largura do canal é controlada pela tensão em um eletrodo chamado portão , que está localizado fisicamente entre a fonte e o dreno e é isolado do canal por uma camada extremamente fina de óxido metálico.
Existem duas formas nas quais um MOSFET pode funcionar. A primeira é conhecida como modo de exaustão . Quando não há tensão na porta, o canal exibe a sua condutância máxima . À medida que a tensão na porta aumenta (positiva ou negativa, dependendo se o canal é feito de material semicondutor do tipo P ou N), a condutividade do canal diminui. A segunda maneira pela qual um MOSFET pode operar é chamada de modo de melhoria . Quando não há tensão na porta, não há na verdade nenhum canal, e o dispositivo não conduz. Um canal é produzido pela aplicação de uma tensão no portão. Quanto maior a tensão do portão, melhor o dispositivo conduz.
O MOSFET tem certas vantagens sobre a junção convencional FET, ou JFET. Como o portão é isolado eletricamente do canal, nenhuma corrente flui entre o portão e o canal, não importa a tensão do portão (desde que não se torne tão grande que cause a quebra física da camada de óxido metálico). Assim, o MOSFET tem uma impedância praticamente infinita. Isto torna o MOSFETs útil para amplificadores de potência. Os dispositivos também são bem adequados para aplicações de comutação de alta velocidade. Alguns circuitos integrados ( IC s) contêm MOSFETs minúsculos e são utilizados em computadores.
Porque a camada de óxido é tão fina, o MOSFET é susceptível a danos permanentes por cargas electrostáticas. Mesmo uma pequena acumulação electrostática pode destruir um MOSFET permanentemente. Em trabalhos de radiofrequência de sinais fracos ( RF ), os dispositivos MOSFET geralmente não funcionam tão bem como outros tipos de FET.